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    公开号:WO1980001437A1
    申请号:PCT/JP1979/000323
    申请日:1979-12-22
    公开日:1980-07-10
    发明作者:Y Shimoji；M Fukuta；Y Takeuchi；S Yamamura；T Shima；N Hidaka；K Kosemura
    申请人:Fujitsu Ltd；S Yamamura；T Shima；N Hidaka；K Kosemura；
    IPC主号:H01L23-00
    专利说明:
    [0001] 明 細
    [0002] 発明の名称
    [0003] i¾周波半導体装置
    [0004] 技術分野
    [0005] 本発明 は高周波半導体装置に関 し、 更 に詳細に述 ベ る と ト ラ ン ジ ス タ 等の苜台匕
    [0006] Bi 勣素子 よ びキ ャ パ シ タ ゃ ィ ン ダ ク タ 等の受動素子 ¾搭載す る 回路基板 と こ れ を収容する容器を備 、 マ イ ク コ 波等の高周波 を取扱 う 高周波半導体装置の構造に関す る 。
    [0007] 景技術
    [0008] [¾ 周 波半導体装置、 例えばマ ィ ク ロ 波増幅器は、 ト ラ ン ジ ス タ 等の能動素子 と 、 抵抗 ， キ ヤ ノ、。 シ タ， イ ン タ'ク タ等の受動素子 を褡 る 回路基板 と 、 こ れ ¾収容す る容器を傰え て、 る Ο
    [0009] 従来、 こ の よ う る 高周波半導体装置、 例え ば 1 段の マ イ ク σ 波増幅器を構成す る には 、 特性の劣化を 防 ぐため に気密封止さ れ、 他の素子 と接続す る ための リ 一 ド を有する ト ラ ン ジ ス タ を 回路基板に取 付け 同 じ く 回路基板に形成 あ る は取付け られ増幅器を 構成す る の に必要 他の素子 と ¾ 回路基板上に形成 さ れた配緑 ¾介 して接続 し、 こ の よ う 回路基板 ¾
    [0010] 3E. の ケ ー ス に収容 して た。
    [0011] しか し ¾ 力； ら、 こ の よ う ¾ 構成ては増幅器 ¾構成す る各種素子の う ち、 ト ラ ン ジ ス タ ¾ どは、 それ 1 個 を気密封止 して る ため に寸法が大 き く 、 それ ¾搭 -載す る 回路基板 も 大 き く Ό . 従 っ て ケ ー ス が大 き く ら ざ る ¾得 ¾ か っ た。
    [0012] 従 っ て、 多段の増幅器 成す る場合 に は この よ う 寸法の大き ケー ス ¾ ¾数個接続 し る ければ ¾ らず、 全体 と して装置の大型化を招いて た。
    [0013] こ の よ う 欠点 を解決す る も の と して従来には ま た、 金属基体上に設けた回路基板上に、 ト ラ ン ジ ス タ 素子 をそれ 1 個 では気密封止す る こ と ¾ く 、 他の 必要る 素子 と共に搭載 し、 こ れを金属ケ ー ス に収容 して こ の金属 ケー ス を気密封止す る も のが あ る 。 しか し る が ら、 こ の よ う る 構成では前記の従来構成 に比 らベて寸法は小さ く る る も の の、 素子 を気密封 止す る 点か ら見れば、 封止部分が長 く る る の で、 完 全 ¾封止を行 、 難 く る る と い う 欠点を有す る 。 発 朋の 開示 .
    [0014] 本発明 の 目 的は、 多段に接続 して も 全体 と して寸 法が大 き く る らず、 しか も 気密封止が充分 に行る わ れた高周 波半導体装置を提供す る こ と に あ る 。
    [0015] 本発明 の他の g 的は、 例え ば多段の増幅器を構成す る場合に、 増幅器 と しての核能を持 っ た複数の高周 波半導体装蘆を間 に何 ら素子 ¾介す る こ と る く 直接 に縦続接続すれば よ い よ う る 造 ¾有す る高周波半 導体装 *を提供す る こ と に あ る 。 本発明 に よ れば、 少 く と も 1 個の半導体素子 と 、 該半導体素子 ¾ ¾ 作させ る ための直流回路 と 、 該半導体素子の檨能を
    [0016] ΟΜΡΙ WIPO 外部回路 と 縦'続接続す る ため の高周 波回路を有す る 能装置が載 ¾さ れ、 高周波的 に接地電極 と る 金 体 と 、 枠形て該機能装 ¾ ¾ 囲む と 共に表面に外 β回路 と 接続す る ための複数の独立 した メ タ ラ ィ ズ 部を有す る 絶縁基板 と 、 該機能装置を気密封止をす る ため の封止部 どを具備す る こ と に よ ？ 、 小型で気 密封止が充分に行 ¾ われ しカゝ も シ ス テ ム の組立てが 容易る 高周波半導体装置が提供される 。
    [0017] 図面の簡単 ¾ 説明
    [0018] 第 1 図は本発明 に よ る 高周波半導体装置のふた ¾ 取 っ た状態での '外観を示す斜視図、 第 2 図 は金属基 体 1 を示す図 で、 第 2 図 A は平面図、 第 2 図 B は第 2 図 A の A — 線に沿 っ た断面図、 第 3 図 は金属基 体 1 上に絶録基板 3 を載置 した状態を示す図で、 第 3 図 A は平面図、 第 3 図 B は第 3 図 A の A - A'線に 沿 っ た断面図、 第 4 図は絶縁基板 3 上に絶緣枠 8 を 取付け る と 共に回路基板 4 を金属基板の合部 2 1 に 載 4 した状態を示す図 で、 第 4 図 A は平面図、 第 4 図 B は第 4 図 A の A — A ¾に沿 っ た断面図、 第 5 図 は絶縁枠 8 の上にふた 5 1 ¾取 り 付けた状態 ¾示す 図て、 第 5 図 ； A は平面図、 第 5 図 B は第 5 図 A の A - A' に沿 っ た断面図、 第 6 図 は本発明 に よ る 高周 波半導体装置、 特に マ イ ク ロ 波増暇-器の増幅 HI路を 示す図、 第 7 図は、 ¾ 6 図 の回路の核能 プ ロ ッ ク 図、 第 8 図 は第 7 図 の増幅部の等価回路図、 第 9 図 は本
    [0019] OMPI VVIFO 発明 に よ る三段の マ イ ク 口 ·波増幅器を ケ ース に実装 した状態 ¾示す図、 第 1 0 図 は本発明 の他の実施例 を示す平面図 てあ る 。
    [0020] 発明 を実施す る た め の最良の形態
    [0021] 以下、 図面を参照 し ¾ が ら 、 本発明の好ま し 実 施例 につ き 説明する 。
    [0022] 第 1 図 は本発明 に よ る高周波半導体装置にお て気 密封止のためのふた を取 っ た状態での外観を示す斜 視図 で あ る 。 こ の高周波半導体装置は、 一例 と して マ イ ク ロ 波増幅器で あ る 。
    [0023] 無酸素銅か ら成 取付けネ ジ孔 2 を有す る 金属基体 1 上に セ ラ ミ ッ ク どの絶縁物か ら成 る 絶緣基板 3 が設け ら れ、 こ の絶緣基板 3 の 中央部に は、 孔部が 設け ら れ、 こ こ に ト ラ ン ジ ス タ お よ びキ ャ パ シ タ ゃ イ ン ダ ク タ カゝ ら成 る 整合回路、 さ ら に方向性結合器 ¾ どマ イ ク 口.波増幅回路を構成す る各種の素子を搭 載 した回路基板 4 がはめ込ま れて る 。
    [0024] 絶緣基板 3 上には回路基板 4 上に形成さ れたマ イ ク 口 波増幅回路 と外部回路を接続する ため の メ タ ラ イ ズ層 5 ， 6 , 7 , 7 'が形成さ れて る 。
    [0025] メ タ ラ イ ズ層 5 はマ イ ク π 波増幅回路の高周波信号 の例えば入力用の メ タ ラ イ ズ層で あ ] 、 絶緣基板 3 の孔部か ら メ タ ラ ィ ズ層 6 と 同様に絶緣基板 3 の外 側端部ま て延在 して い る 。
    [0026] 絶録基板 3 上の回路基板 4 を は さんで対向す る位置
    [0027] ΟΜΡΙ には高周 波信号の例え ば出力用 の メ タ ラ イ ズ層が形 成さ れて る 。
    [0028] メ タ ラ イ ズ層 6 は直流用 の メ タ ラ ィ ズ層 で あ 、 そ の先端部は メ タ ラ ィ ズ層 7 あ る-いは 7 'と 同 じ形状を し て ^ る 。
    [0029] こ の メ タ ラ ィ ズ層 6 は高周波信号用 メ タ ラ イ ズ層 5 をはさんで合計 4 個形成さ れ て い 0
    [0030] こ れ ら直流用 メ タ ラ イ ズ層の先端部 7 ， 7 ' 対向 し て配置さ れ、 一方の電極が接地さ れた図示 し キ ャ パ シ タ の他方の電極にそれぞれ ワ イ ヤ お よ び抵抗
    [0031] ¾介 して接続さ れて る 。 尙 こ れ ら の メ タ ラ イ ズ層 は タ ン グ ス テ ン の ペ ー ス ト を ス ク リ ー ン 印刷 に よ D 塗布 して焼付け した後、 ニ ッ ケ ル メ ツ キお よ び金 メ ッ キ を施 こ して形成さ れ る 。
    [0032] 絶綠基板 3 上には こ れ ら の メ タ ラ ィ ズ層 を横切 っ て セ ラ ミ ツ ク か ら成 る絶縁枠. 8 が設け ら れ、 さ ら に こ の上に設け ら れ気密封止 ¾す る ための 図示 し ふ たと 共に封止部を構成す る 。
    [0033] 各 メ タ ラ イ ズ層の絶録枠の外側 に て は、 高周 波 半導体装置の使用方法に よ つ て 図の よ う に リ ー ド 9 を設けて も よ い。 ―'
    [0034] ただ し第 1 図 にお ては、 Ιίέ明の ため に メ タ ラ ィ ズ 層 6 の一 '園-所だけ ー ド ¾設けて い 状 態を示 し た。
    [0035] 次に こ の本発明 に よ る高周波半導体装置の各部 ¾ よ 詳細 に説明す る 。
    [0036] 第 2 図 は金属基体 1 ¾示す図で、 第 2 図 A は平面図、 第 2 図 B は第 2 図 A の A - A;M に沿 つ た断面図 であ
    [0037] Ό o '
    [0038] 金属基体 1 には回路基板が載置さ れ る台部 2 1 お よ び回路基板上の回路の接地 ¾ と る ための突起部 2 2、 2 2 ' , 2 2 " が設け ら れてい る 。
    [0039] ま た台部 2 1 の周 囲には絶録基板を支持する ための 支持部 2 3 が設け ら れて る 。
    [0040] 第 3 図は、 金属基体 1 上に絶縁基板 3 を载置 した ^ 態を示す図 で、 第 3 図 A は平面図、 第 3 図 B は第 3 図 A の A - 線に沿 っ た断面図で あ る 。
    [0041] 絶緣基板 3 は台部 2 1 の周縁部 と支持部 2 3 と に よ 支持さ れ る 。
    [0042] 尙、 金属基体 1 と 絶籙基板 3 と は銀 π ゥ で接着さ れ て る 。
    [0043] 絶籙基板 3 には回路基板を収め る ための孔部 3 1 が 設け ら れ、 孔部 3 1 には絶緣基板 3 を取付けた状態 で金属基体 1 等に金 メ ツ キ を施す際、 メ ツ キ液が合 部 2 1 と支持部 2 3 の ] ¾の間隙 に残留せずに流れ出 る よ う にする ための凹部 3 2 が形成さ れている 。
    [0044] 絶緣基板 3 の表面には高周波信号用 の メ タ ラ イ ズ層 5 お よ びマ イ ク 口 波増幅回路 に直流パ イ 了 ス を供給 す る ため の直流用 の メ タ ラ ィ ズ層 6 が形成さ れて る
    [0045] OMPI 第 4 図 は絶緣基板 3 上に絶縁枠 8 を取付け る と共に 回路基板 4 を金属基体の台部 2 1 に载置 した状態を 示す図 て、 第 4 図 A は平面図、 第 4 図 B は第 4 図 A の A - - A '線に沿 っ た断面図で あ る 。
    [0046] 絶緣基板 3 と絶緣枠 8 はア ル ミ ナ に よ 接着さ れて い る 。
    [0047] 高周波信号用の.メ .タ ラ イ ズ層 5 は絶縁枠 8の内側において 図示 し い方向性結合器の入力端お よ び 出 力端 と ヮ ィ ャ等 に ょ 接続さ れ、 一方直流用 メ タ ラ イ ズ層 6 も 絶録 '粹 8 の 内側の先端部 7 , 7 'におい て 、 回路基 板 4 上に形成さ れた素子に ヮ ィ ャ等を介 して接続さ し る
    [0048] 尙、 第 4 図 におい て は回路基板 4 上に形成さ れた各 種の素子は後に詳 し く 説明す る の で図示 してい い。 第 5 図 は、 絶縁枠 8 の上にふた 5 1 を取 付けた状 態 ¾示す図 で、 第 5 図 A は平面図、 第 5 図 B は第 5 図 A の A - A'線に沿 っ た断面図で あ る 。
    [0049] ふた 5 1 はセ ラ ミ ッ ク ¾ どの絶緣物、 あ る いは コ パ — ル ¾ ど 金属か ら成 、 絶緣枠 8 に金 （A u ) と 錫
    [0050] ( S II ) の合金 An S n ( 2 0 )に よ 接着さ れて る 。 絶緣枠 8 と ふた 5 1 "と は本発明 に よ る高周波半導体 装置の封止部 ¾耩成 して い るが、 圭寸止部 と して は こ の他に こ れ ら ¾一体化 した形状の金属 （ 例え ばコ バ
    [0051] — ル ） 製の封止部 ¾ 用 る こ と がで き る 。
    [0052] ただ し こ の場合各 メ タ ラ イ ズ / ¾ 5 , 6 と の接触部に は絶緣物 を施 こ して メ タ ラ イ ズ層 ど う しが短絡 し よ う にす る こ と が必要で あ る こ と は言 う ま で も る 。 又高周波信号用 メ タ ラ イ ズ層 と 直流用 メ タ ラ イ ズ層 と の間に金属基体に達す る メ タ ラ イ ズ層 を設け る こ と に よ D 両 メ タ ラ ィ ズ層の カ ッ プ リ ン グ を防止 す る こ と 力 sて き る 。
    [0053] 以上は主 と して本発明 に よ る高周波半導体装置の 回路基板を収容す る容器につ ての説明 で あ る が、 次に回路基板上に形成さ れたマ イ ク 口 波増幅.回路に つ て説明する 。 - 第 6 図 は本発明 に よ る 高周波半導体装置、 特にマ イ ク α 波増幅器の増幅回路を示す
    [0054] 回路基板 4 上に形成さ れた増幅回路はバ ラ ン ス 型増 幅回路であ り 、 左右がほぼ対象てあ る 。
    [0055] こ の 回路基板上の回路構成は第 7 図 に示す よ う に方 向性結合器 （ ハ イ プ リ ' ド カ ブ ラ ） H C 1 の入力端
    [0056] I N に入力 したマ イ ク 口 波入力信号は こ こ で二分さ れそれぞれ増幅部 7 1 よ び 7 2 で増幅さ れ方向性 結合器 HC2 に よ り 合成さ れ出力端 O IJ T よ 増幅 さ れたマ イ ク 口 波信号が出力 さ れ る も の て あ る 。
    [0057] ただ し方向性結合器 riCi , HC2 の一端は夫 々 抵抗 Rs l , Rs 2 ¾介 して終端さ れ る
    [0058] 又 Ca ， Cb , Cc , Cd は ¾流遞断用 キ ャ パ シ タ で あ る
    [0059] 増幅部 7 7 2 は同様の構成で あ ] 、 例えば増幅
    [0060] OMPI WIPO— 部- 7 1 の具体的 る 等価回路が第 8 図 に示 さ れ る 。
    [0061] 図 におい て 8 1 は増幅部 7 1 の入力端を示 し、 イ ン ダク タ L 2 , L 3 ， お よ び キ ' シ タ C 2 に よ 入 力整合回路、 イ ン タ- ク タ L4 , L 5 お よ び キ ヤ シ タ C 4 で出力整合回路、 イ ン タ- ク タ L i ， 抵抗 Ri
    [0062] お よ び抵抗 R 2 ， キ ャ パ シ タ C 3 でセ ル フ バ イ ア ス 回路、 イ ン ダ ク タ L 6 ， 抵抗 R 3 ， キ ヤ シ タ Cs でバ イ ァ ス 回路 ¾檮成 して る 。
    [0063] 8 2 は出力端、 8 3 はパ イ ァ ス入力端で 。 こ の よ う ¾ 等価回路て表わさ れ る増幅回路の具体的
    [0064] 構成が第 7 図お よ び第 8 図 と 同 じ記号を 用 て第
    [0065] 6 図 に示さ れて い る 。
    [0066] 第 6 図 には増幅回路が形成さ れた回路基板 4 と絶緣 基板 3 の孔部付近が拡大 して示さ れ る 。
    [0067] 図 に 明 らかる よ う に方向性結合器 H C i の入力端
    [0068] I N お よ び方向性結合器 HC 2 の 出力端 0 ϋ T はそれ ぞれ絶縁基板上に形成さ れた高周波用 メ タ ラ ィ ズ層
    [0069] 5 と 接続さ れ、 又接地さ れ る 素子、 例えば終端抵抗
    [0070] R S ！ ， H S 2 お よ び キ ャ パ シ タ C 2. ， C の一方 の電極等は金属基体の突 部 2 2 , 2 2 '， 2 2"に接
    [0071] Mさ-れ る。 さ ら に、― 直流用 メ タ ラ イ ズ層 の先端部
    [0072] 7 , 7'は ワ イ ヤ に よ 抵抗 R4. に接続さ れ、 抵抗 R4 はキ ャ パ シ タ C 6 の上部電極に接続さ れ 、 その下部
    [0073] «極は金属基体に接続さ れ、 接地さ れ る ft成 と ¾ つ て る 。 抵抗 R 4 力 ら はバ イ ア ス 回路の入力端 8 3
    [0074] O PI 、 WIPO に ワ イ ヤ がかけ.ら れ、 バ イ ア ス 回路を構成す る S抗
    [0075] R 3 に外部か らバ イ アス ¾圧が供給さ れ る 。
    [0076] 外部か ら供給さ れ る バ イ ア ス電圧を メ タ ラ イ ズ層 7 か ら 7 'へ供給す る ため に メ タ ラ ィ ズ層 7 と 7 'を直接 ワ イ ヤ で接続す る こ と も で き る が、 対向す る メ タ ラ ィ ズ層 7 ， 7 'の間で共振が起 こ る場合が あ る の で、 こ れ を防止す る ため に抵抗 4 ， キ ャ パ シ タ C 6 ¾ 介 して接地す る構造 と した。 尙、 こ れ ら の 回路の各 種素子の一部はモ ノ リ シ ッ ク に作 られて て も よ こ の本発明 に よ る高周波半導体装置に て重要な こ と は例えばマ イ ク ロ 波増幅器を例に と る と 、 電界 効杲 ト ラ ン ジ ス タ の増幅素子のみる らず、 入出力整 合回路お よ び方向性結合器等、 増幅回路 と して完全 ¾ 機能を杲たす回路が 1 つの容器内 に収容さ れて る こ と で あ る 。
    [0077] 即 ち、 外部に整合回路等を接続する こ と ¾ く それ 自 体で増幅器 と しての完全 機能を有 して い る こ と で あ る 。
    [0078] 従 っ て一段の増幅器 と して使用す る場合には メ タ ラ ィ ズ層 に リ 一 ド ¾取付けて一個の増幅器が完成する し、 多段の増幅器 ¾構成す る場合には第 9 図の様に すれ ば よ 。
    [0079] 第 9 図 は 3 段の マ イ ク 口 波増幅器 ¾耩成 した場合を 示す。
    [0080] 本発明 に よ る マ イ ク 口 波増幅器 9 9 2 , 9 3 ¾
    [0081] O PI 各金属基体 1 をつ き 合わせ、 'ネ ジ止め に よ り 金属ケ — ス 9 4 に取付け る と 、 直流用 お よ び高周波用の メ タ ラ ィ ズ層はそれぞれ対向す る 。
    [0082] 従 っ て こ れ ら を ワ イ ヤ あ る は導電性 リ ボ ン に よ 接続 し、 マ イ ク ロ 波増幅器 9 1 の高周 波用 メ タ ラ イ ズ層 5 をス ト リ ッ ブ ラ イ ン 9 5 と 接続 し、 又直流用 メ タ ラ イ ズ層 6 ¾それぞれ金属 ケ ー ス 9 4 に設け ら れたバ イ ア ス 用端子 9 6 と 接続す る と共に、 マ イ ク 口 波増幅器 9 3 の高周波用 メ タ ラ ィ ズ層 5 と ス ト リ ッ プ ラ イ ン 9 7 ¾接続す る こ と に よ り 、 金属 ケ ー ス の入力接続部 9 8 よ り 入力 した マ イ ク ロ 波信号は増 幅器 9 1 , 9 2 ， 9 3 に よ 3 段増幅さ れて 出力接 銃部 9 9 よ 出力 さ れ、 一方増幅器 と して機能す る に必要 ¾ バ ィ ァス 電圧はバ イ ァ ス 用端子 9 6 にバ イ ァス 用電源 ¾接銃す る のみで増幅器 9 1 ， 9 2 ， 9 3 のそれぞれに供給さ れ る 。 尙、 金属 ケ ー ス 9 4 はふた を取付け る が各増幅器が既に気密封止さ れて い る の で、 金属 ケ ー ス 9 4 で気密封止す る 必要はる い o
    [0083] こ の よ う に本発钥 に よ る高周 波半導体装 ¾は一つの 完成さ れた檨能 ¾有するため に、 こ れ ら の装置を用 い て シ ス テ ム ¾稱成す る場合には鳖合回路等を外部 に取付け る 必要がる く 、 シ ス テ ム設計段階 におけ る ブ Π ッ ク 図の観念を も っ て シ ス テ ム を構成す る こ と がで き る の て、 シ ス テ ム の組み立てが極めて容易 に ¾ る
    [0084] 第 1 0 図 は本発明の他の一実^例て第 3 図 の よ う に 絶縁枠を取 D 付ける 状態 ¾示す。
    [0085] ただ し絶籙基板 3 の孔部には回路基板 4 'を収容 して め る 。
    [0086] 本実施例は前述の実施例で回路基板上に設けて た 方向性結合器 , H C 2 を絶緣基板 3 上に設け た も の で あ る 。
    [0087] 高周波半導体装置の特にパ ラ ン ス 型増幅回路にお て用 い ら れ る方向性結合器は、 他の素子が小型化さ れ る に も かかわ らず、 結合部分が使用波長 ス の 1 ¾ の長さ を必要 と す る ため、 小型化する こ と がで き ず 回路基板に 占め る割合が大 き 。
    [0088] そ こ て、 こ の よ う に絶緣基板上に設け る こ と に よ 回路基板 4 'を小型化す る こ と がで き る 。
    [0089] 回路基板 と して高価 サ フ ア イ ァ を使用す る場合に は ゥ - ハ 1 枚力 ら 得 ら れ る 回路基板数 ¾多 く す る こ と がで き る ので、 1 枚の 回路基板あた D の価格が低 く ¾ 、 装置 ¾廉価で供給す る こ と がて き る よ う に
    [0090] ま た方向性結合器のみ る らず他の素子を絶綠基板上 に形成 して も よ 。
    [0091] 以上説明 した よ う に本発明 に よ れば小型て気密封 止が充分で あ り 、 しか も シ ス テ ム の組立て が容易 ¾ 高周波半導体装置が提^さ れ る 。
    权利要求:
    Claims 3 求 の 範 囲
    1. 少 る く と も 1 個の半導体素子 と 、 該半導体素子 を動作させ る ための直流回路 と 、 該半導体素子の 機能 を外部回路 と 縦続 続する ため の高周波回路 ¾有す る機能装置が載置さ れ、 高周波的 に接地電 極 と る 体 と 、 梓形で該機能装置を 囲む と 共に表面に外部回路 と 接続す る ため の複数の独立 した メ タ ラ イ ズ部 ¾有す る 絶緣基板 と 、 該機能装 置を気密封止 ¾す る ための封止部 と ¾具僱す る こ と を特徵 と する高周波半導体装置
    2. 前記 メ タ ラ イ ズ部 と して高周波用 メ タ ラ ィ ズ部 と 直流用 メ タ ラ ィ ズ部 と が独立 して設け られて い る こ と を特徴 と す る特許請求の範囲第 1 項記載の 高周波半導体装 i .
    3. 該複数の メ タ ラ イ ズ 部は、 高周波半導体装置が 縦 ITC接 可能る 位置に設け ら れて る こ と を特徵 と す る #許請求の範囲第 1 nCi の高周 波半導体
    4. 該封止部内の該セ ラ ミ ッ ク 部上に回路素子が設 け ら れて る こ と ¾特徵 と す る特許請求の範囲第 1 項記載の高；周 '半導体装置。
    5. 該檨能装置の少 ¾ く と も 一部がモ ノ リ シ ッ ク に 作 ら れて成 る こ と ¾特徵 と す る特許請求の範囲第 1 項記載の高周波半導体装置。 fU RE
    OMPI
    VvrIPO
    类似技术:
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    US8872333B2|2014-10-28|System and method for integrated waveguide packaging
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0020787B1|1983-08-03|
    EP0020787A1|1981-01-07|
    EP0020787A4|1981-05-15|
    DE2966040D1|1983-09-08|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1980-07-10| AK| Designated states|Designated state(s): US |
    1980-07-10| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): DE FR GB NL |
    1980-08-19| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1980900085 Country of ref document: EP |
    1981-01-07| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1980900085 Country of ref document: EP |
    1983-08-03| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1980900085 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP16316778A|JPS5587460A|1978-12-26|1978-12-26|Package|
    JP16478678A|JPS596513B2|1978-12-28|1978-12-28||
    JP78/164786||1978-12-28||DE8080900085T| DE2966040D1|1978-12-26|1979-12-22|High frequency semiconductor unit|
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